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巴斯夫新型 PPA 材料助力电力电子设备发展
在电力电子设备领域,巴斯夫研发出一种新型聚邻苯二甲酰胺(PPA),该材料在 IGBT 半导体外壳制造方面展现出显著优势。其中,Ultramid® Advanced N3U41 G6 产品尤为突出,它满足了电动汽车、高速列车、智能制造以及可再生能源等领域对高性能、可靠电子元件持续增长的需求。Semikron Danfoss 作为这一领域的全球技术领先企业,现已将巴斯夫 PPA 应用于其光伏和风能系统逆变器中的 Semitrans 10 IGBT 外壳材料。

巴斯夫重磅推出针对新一代绝缘栅双极晶体管(IGBT)半导体的高性能PPA材料。(图源:巴斯夫)
Ultramid® Advanced N 系列具有出色的耐化学性和尺寸稳定性,能够显著提升 IGBT 的稳固性、长期性能以及可靠性,很好地适应了日益提高的节能、更高功率密度以及增效等要求。IGBT 在电力电子设备中扮演着重要角色,可实现电路的高效切换与控制。
“IGBT 是现代电子设备的关键部件,在可再生能源领域的重要性更为凸显。”Semikron Danfoss 研发与预研部的 Jörn Grossmann 表示,“IGBT 需要在更高温度条件下工作,并且要同时保持长期稳定和高性能。巴斯夫 PPA 材料的独特特性让 Semitrans 10 成为性能与效率的新范例。该材料即使处于严苛环境中,也能展现卓越的电气绝缘性能;在装配过程出现短期温度峰值时,依然保持良好的稳固性。这正是我们选用此材料的原因。” 高性能材料与智能设计的结合,能够加速切换速度、降低传导损耗并优化热管理,进而满足电力电子设备的关键需求。
目前,在 IGBT 中广泛应用的是巴斯夫的Ultradur®(PBT:聚对苯二甲酸丁二醇酯)。而在快速发展的电力电子设备领域,新推出的 PPA 能够适应新一代 IGBT 的众多严格要求。例如,该材料能够承受更高温度,持续保持电气绝缘性能,在潮湿、灰尘和污垢等具有挑战性的环境条件下维持尺寸稳定。采用无卤阻燃剂的激光敏感 Ultramid® Advanced N3U41G6 具备较强的热稳定性、低吸水性以及出色的电气性能。其显著特点是高达 600 的 CTI 值(CTI:相对漏电起痕指数,依据 IEC 60112),与当前用于电源开关的材料相比,漏电更少、绝缘性能更优,更有利于 IGBT 微型化。UL 认证系列产品的电气 RTI 值(RTI:相对温度指数)高达 150°C。
巴斯夫电力电子设备高级应用专家 Jochen Seubert 指出:“巴斯夫 PPA 改性产品面向全球供应并提供样品展示。我们以客户为导向,提供部件开发方面的技术支持,期望这一创新材料能为电力电子设备的发展做出重要贡献,推动全球可再生能源转型的进程。” 在 IGBT 制造过程中,巴斯夫 PPA 在金属引脚与夹具注塑成型后,可与半导体封装材料兼容。
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